Savjeti za korištenje bipolarnog tranzistora izolirane kapije

Bipolarni tranzistor sa izolovanim vratima (IGBT) je naponski-kontrolisani prekidački uređaj koji se široko koristi u elektronskim sistemima srednje- do velike-snage, kombinujući prednosti visoke ulazne impedanse MOSFET-a i jednostavnog pogona sa niskim padom napona provodljivosti BJT-a i mogućnošću prenosa velike struje{3}.

 

Osnovne tačke upotrebe
Zahtjevi za pogonski napon
IGBT su uređaji{0}}kontrolisani naponom. Napon od +12V do +18V (tipična vrijednost) treba primijeniti između gejta i emitera da bi se uključio; za isključenje-isključivanje, 0V ili negativni napon (kao što je -5V do -15V) može se primijeniti kako bi se poboljšala sposobnost zaštite od smetnji i ubrzalo isključivanje.

 

Napon pogona kapije ne smije prelaziti ±20V, inače bi se sloj oksida kapije mogao oštetiti.

 

Izbor struje i napona
IGBT-ovi mogu podnijeti struje od nekoliko stotina ampera (na primjer, preko 500A) i napone od nekoliko hiljada volti. Prilikom odabira, treba ostaviti marginu od 20%~30% kako bi se izbjegla oštećenja od prenapona ili prekomjerne struje.